3D-NAND-Flash-Speicherlösung
Kioxia präsentiert mit der fünften Generation des BiCS FlashTM eine neue 3D-NAND-Flash-Speicherlösung mit vertikal geschichteter 112-Layer-Struktur. Erste Muster mit einer Kapazität von 512GBit (64GB) und Triple-Level-Cell-Technologie werden für Spezialanwendungen voraussichtlich bereits in diesem Quartal zur Verfügung stehen. Mit der neuen Generation zielt Kioxia auf die ständig steigenden Anforderungen zahlreicher Anwendungsgebiete ab.
In der Folge wird Kioxia die neue Prozesstechnologie der fünften Generation auch auf Speicherchips mit größerer Kapazität anwenden, beispielweise 1Tb-Triple-Level-Cell- und 1,33Tbit-Quadruple-Level-Cell-Chips. Kioxias innovative 112-Layer-Stapelprozesstechnologie wird mit fortschrittlicher Schalttechnik und Fertigungsprozesstechnologie kombiniert. Im Vergleich zum 96-Layer-Stapelprozess lässt sich dadurch die Speicherdichte um rund 20% erhöhen. Die neue Technologie reduziert die Kosten pro Bit und steigert die Speicherkapazität pro Silizium-Wafer. Darüber hinaus verbessert sie die Schnittstellengeschwindigkeit um 50%, bietet eine höhere Programmierleistung und verkürzt die Leselatenz.